thesis

Étude quantitative par spectroscopie d'électrons Auger de la croissance de dépôts d'argent sur silicium : réactivité à l'oxygène de l'interface

Defense date:

Jan. 1, 1987

Edit

Institution:

Paris 6

Disciplines:

Physics

Authors:

Directors:

Abstract EN:

Pas de résumé disponible.

Abstract FR:

Caractérisation des dépôts d'argent. Analyse de la réaction de ces dépôt avec l'oxygène sous faible pression partielle (10**(-7)-10**(-6)pa) à température ambiante. Etude du comportement vis à vis de l'oxygène en fonction de l'orientation du substrat, du degré de recouvrement en argent et de l'arrangement atomique de l'argent. Avantage de la méthode d'analyse.