Abstract FR:

Une dizaine d'années auront suffi pour que les détecteurs infrarouges à puits quantiques GaAs-AlGaAs s'imposent comme alternative potentielle aux photodétecteurs mercure-cadmium-tellure couramment utilisés pour la détection infrarouge dans la bande 8-12 m. Apres un bref rappel de la notion de transition intersousbande, nous exposons les deux modèles usuels qui permettent de décrire le fonctionnement des photoconducteurs à puits quantiques. Ces modèles font apparaitre l'importance primordiale des mécanismes de photo ionisation et de capture des électrons. Ces mécanismes sont étudiés expérimentalement par des méthodes purement électriques, analogues aux méthodes classiques de caractérisation des défauts dans les semi-conducteurs. Les paramètres essentiels pour l'évaluation des performances de ces détecteurs, déduits de ces expériences sont confrontés avec des résultats théoriques ainsi qu'avec les résultats obtenus par des expériences de nature différente. Nous montrons qu'un puits quantique se comporte comme un défaut bidimensionnel de la bande de conduction de la barrière. Cette description simple permet de rapprocher les deux modèles de transport jusqu'à présent proposés. Les performances de tels détecteurs sont alors évaluées pour deux configurations différentes du couplage optique. Il apparait clairement que l'optimisation de la structure et les performances accessibles dépendent fortement du type de couplage utilise. Le mécanisme d'injection des porteurs aux contacts, qui conditionne le bon fonctionnement des photoconducteurs à puits quantiques, est également mis en évidence expérimentalement.