Abstract FR:

Cet ouvrage traite du transport de charges dans une diode n-i-p en silicium amorphe hydrogene (a-si:h). Sous polarisation inverse, nous analysons la relaxation des porteurs de charges a partir de l'etude de photocourants transitoires a l'extinction. Cette etude concerne les cibles photoconductrices en a-si:h des tubes vidicon, qui convertissent une image optique en un signal electrique. La relaxation des porteurs s'y traduit en terme de remanence, celle-ci represente le souvenir que conserve le dispositif d'une image anterieure. Nous avons developpe une technique de caracterisation permettant d'en determiner la nature. Nous montrons que pour les structures etudiees, elle provient des interfaces. Nos mesures des grandeurs caracteristiques du transport de charges s'interpretent par le modele decrivant le transport dans ce materiau. Nous obtenons une structure de cible detenant une remanence inferieure a 2%. En appliquant une polarisation directe a notre diode n-i-p nous etudions la recombinaison des porteurs de charges. Pour des niveaux d'injection eleves, nous atteignons le regime dit de double injection dans lequel la recombinaison controle le courant, nous explorons la duree de vie sur un vaste domaine d'injection. Nous mesurons des gains de double injection et de photoconduction s'exprimant au premier ordre comme le rapport de la duree de vie sur le temps de transit. Nous montrons que, pour le a-si:h, le gain de double injection, contrairement au gain de photoconduction, n'est pas une bonne mesure de la duree de vie. Nous obtenons des gains de photoconduction de l'ordre de 800. Nous montrons le role essentiel des interfaces sur la limitation du courant electrique. Nous etudions egalement, dans ce regime, la degradation, par exposition de lumiere prolongee, du transport de charges. Nous constatons une diminution du photocourant et du courant d'obscurite compatible avec une augmentation de la densite de defauts profonds