Abstract FR:

Cette etude est consacree a l'optimisation du frittage et des proprietes dielectriques du materiau ba(zn#1#/#3ta#2#/#3)o#3 (bzt) pour resonateurs dielectriques. Dans un premier temps, le frittage a ete etudie et le cycle de frittage a pu etre reduit a 1450c, 2h grace a l'optimisation de la preparation de la poudre. Une poudre fine et monomodale a ete obtenue grace a l'utilisation de l'attrition, ce qui confere au bzt une grande reactivite. Les pieces finales presentent une densite d'environ 97% de la densite theorique. L'importance de la stchiometrie en baryum a ete demontree, un tres leger exces de cet element suffisant pour faire chuter de maniere drastique la frittabilite de bzt. La variation de proprietes dielectriques de ces resonateurs a ensuite ete etudiee en fonction des differents parametres d'elaboration. Il a ainsi ete mis en evidence la dependance de la constante dielectrique essentiellement a la densite des pieces de bzt pur. Le coefficient de temperature s'est principalement revele sensible au choix des matieres premieres qui doit etre fait avec soin pour obtenir des valeurs proches de 0 ppm/c. La maitrise du facteur de merite s'est averee assez delicate et qf est plus sensible a la partie cycle de frittage de l'elaboration de la ceramique. L'apparition de la mise en ordre de la perovskite et la croissance des grains sont en effet les principaux facteurs d'amelioration du facteur de qualite. Enfin la substitution par l'etain a fourni une methode pour ajuster le coefficient de temperature a 0 ppm/c et la substitution par la zircone permet d'augmenter la permittivite. Une constante dielectrique de 30, un coefficient de temperature de 1 ppm/c et un facteur de merite de 90 thz ont pu etre obtenus pour une temperature de frittage de 1450c, 2h sous o#2