Abstract FR:

Une cellule d'excitation utilisant le bombardement électronique des molécules d'un gaz a été mise au point pour servir de source d'ions dans les études et les traitements de surface de semi-conducteurs sous ultravide. Elle communique avec l'enceinte principale par un trou de petit diamètre et fournit un flux directif d'ions de faible énergie. Cette cellule a été utilisée pour étudier, par spectroscopie de rendement de photoémission au seuil, l'interaction d'ions H2+ avec la surface (110) clivée de GaAs et InP. Un phénomène caractéristique de ces surfaces fortement hydrogénées a permis de mettre en évidence un processus d'érosion couche par couche avec GaAs.