thesis
Propriétés des alliages amorphes silicium-étain en relation avec leurs conditions de préparation et phénomènes de cristallisation
Institution:
Paris 6Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Etude de matériaux préparés par pulvérisation diode radiofréquence. On étudie plus particulièrement, du point de vue structural l'environnement des atomes d'étain par effet Moessbauer et l'incorporation d'hydrogène par absorption IR. Du point de vue électronique, les mesures montrent que la bande interdite optique est ajustable dans une large gamme de valeurs et les mesures électriques indiquent une forte densité d'états accepteurs au-dessus de la bande de valence, responsable d'une chute de la photoconductivité.