Abstract FR:

Etude théorique et expérimentale de l'application de la méthode aux semi-conducteurs III-V et en particulier à l'analyse des interfaces. Etude des systèmes GaAlAs/GaAs et GaInAs/InP. Détermination simultanée de l'épaisseur des couches et de l'énergie de localisation pour les différentes transitions optiques, dans le cas de puits quantiques et de super-réseaux; effets dus au couplage entre les puits quantiques. Obtention de cartographies avec une résolution optique de 10mu m. Le traitement théorique des images ellipsométriques est base sur le concept de trajectoires.