thesis

Etude de l'élaboration d'hétéroscultures InP/InGaAs/InP par la méthode d'épitaxie en phase vapeur-hydrures : application à la réalisation de photodiodes

Defense date:

Jan. 1, 1986

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Institution:

Paris 6

Disciplines:

Authors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Etude de l'élaboration de doubles hétérostructures dans un réacteur original comportant quatre chambres de réaction indépendantes, afin de permettre la croissance, sans interruption, ni phase transitoire, de la totalité de l'hétérostructure. Dans ce système, la mise en température du support, la croissance de InP et celle de GaInAs sont effectuées dans des chambres séparées. Les composants obtenus après diffusion de Zn ont de bonnes caractéristiques électriques et optiques, démontrant ainsi la faisabilité de la méthode, mais le rendement de fabrication est trop faible pour un procédé à vocation industrielle.