Abstract FR:

La miniaturisation de plus en plus poussée en micro-électronique conduit à la recherche de matériaux nouveaux plus performants, que ce soit dans le domaine des isolants électriques comme dans celui des conducteurs. Parmi les conducteurs, le silicium de titane présente une conductivité électrique environ dix fois plus faible que celle du silicium polycristallin actuellement utilisé. La méthode d'élaboration utilisée est le dépôt chimique en phase vapeur à pression réduite (low pressure chemical vapor deposition). Cette méthode a l'avantage de permettre de réaliser des dépôts sélectifs (absence de dépôt sur les zones recouvertes d'oxyde de silicium et dépôt sur les zones ou le silicium sous-jacent a été mis à nu). Grâce à cette sélectivité de dépôt plusieurs étapes de photolithographie et de gravure peuvent être supprimées du procédé de fabrication des dispositifs à circuits intégrés. Dans ce travail, une nouvelle machine de dépôt chimique en phase vapeur a été utilisée : celle-ci alliant les techniques de recuit rapide par four à lampes infrarouges (appelé rapid thermal processing) à celles du dépôt par L. P. C. V. D. Est appelée rapid thermal low pressure chemical vapor deposition. Après une étude préliminaire de dépôt de silicium polycristallin permettant de tester cette nouvelle machine, le dépôt sélectif de siliciure de titane est étudié en utilisant plusieurs phases gazeuses de départ : le chlorure de titane pur, le chlorure de titane hydrogène et le mélange chlorure de titane-hydrogène-silane. A partir d'une étude thermodynamique, basée sur les résultats expérimentaux, les mécanismes de dépôt correspondants sont proposés et comparés avec ceux de la littérature.