Abstract FR:

Le but de ce travail est d'aborder l'aspect semi-quantitatif de la recombinaison aux joints de grains dans le silicium, en relation avec leur microstructure. Nous avons pour cela elabore par croissance directionnelle h. E. M. (heat exchange method), en collaboration avec le c. E. C. M. De vitry, des bicristaux de silicium de purete electronique, dotes d'un gradient de concentration en aluminium. Il a ete montre que l'aluminium present en concentration importante dans le semiconducteur, diminue la longueur de diffusion des porteurs minoritaires en se placant sur des sites autres que les sites accepteurs. Precisons tout de meme que l'objectif principal de cette recherche n'est pas tant l'etude du role de l'aluminium dans le silicium, ce sujet ayant fait l'objet de nombreuses etudes, mais plutot, de tenter d'etablir une correspondance, a l'echelle la plus fine possible, entre la microstructure liee a la presence d'une impurete, et l'activite electrique des joints de grains. Nous avons dans ce but entrepris une serie d'observations en microscopie electronique en transmission des joints de grains afin de suivre l'evolution de la microstructure des defauts en relation avec le gradient de concentration en impurete. La microstructure des joints est ensuite correlee a leur comportement electrique au moyen d'une technique d'injection de porteurs sur diodes minces. Cette technique developpee au laboratoire, a permis de montrer avec une resolution spatiale de l'ordre de 100 nm que la recombinaison des porteurs au niveau des joints speciaux dans le silicium, est localisee au niveau des precipites intergranulaires. L'activite electrique des joints de grains est donc essentiellement a caractere extrinseque