thesis
Influence de l'hydrogène sur les propriétés de transport électronique, la densité et la cinétique des états profonds dans le silicium amorphe élaboré par pulvérisation cathodique
Institution:
Paris 6Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Effet de la pression du mélange gazeux de pulvérisation et plus particulièrement de la pression partielle d'hydrogène. Une étude préalable a montré que les traces de carbone et d'oxygène dans les échantillons ne masquaient pas l'effet principal. L'hydrogène a été dosé par réaction nucléaire. La spectrométrie IR a permis de déterminer que l'hydrogène était incorporé sous forme de liaisons Si-H isolées. Une influence importante de l'hydrogène sur la section efficace de capture des défauts profonds a été mise en évidence. Interprétation. Mise en évidence d'une transition entre deux modes de capture prévus par la théorie.