Abstract FR:

Calcul de la largeur et du déplacement du phonon optique de centre de zone dans le silicium en fonction de la température et la fréquence. Calcul des fréquences et des vecteurs propres à l'aide d'un modèle harmonique faisant intervenir des interactions centrales entre premiers et jusqu'aux quatrièmes voisins et des interactions à longue portée dues à des dipôles non locaux.