Abstract FR:

La preparation des supports de phosphure d'indium (inp) avant croissance epitaxique est primordiale et conditionne la qualite des interfaces dont dependent largement les proprietes electroniques et la stabilite des composants realises. Dans cette optique, nous avons etudie les surfaces semi-conductrices inp (100) nettoyees chimiquement, puis bombardees sous ultra-vide par un faisceau d'ions ar**(+). Les resultats experimentaux sont obtenus par differentes spectroscopies electroniques (aes, epes, pec) en suivant les etapes de la preparation des supports permettent de presenter une comprehension microscopique des phenomenes induits par les differents traitements realises