Abstract FR:

Nous avons essaye de realiser des cellules solaires en silicium polycristallin sur verre. Pour cela, nous avons tout d'abord examine le depot de silicium polycristallin a partir du disilane dans l'espoir de pouvoir accroitre la vitesse de depot. Avec ce gaz, le depot n'est uniforme qu'a basse temperature (450-475 c). Malheureusement, a ces temperatures, la vitesse est cependant du meme ordre de grandeur que celle obtenue avec le silane, ce qui reduit les attraits du disilane. Ensuite, nous avons optimise le depot d'ito par pulverisation cathodique rf magnetron. L'ito nous a servi de contact electrique superieur conducteur et transparent. Des couches peu resistives, d'environ 0,5 m cm ont ete obtenues. Diverses methodes de caracterisation : rayons x, mesures d'effet hall, suivi de la cristallisation par la conductance, photoluminescence, mesures de resonance de spin electronique, ellipsometrie et mesures de photocourant module, ont ete utilisees pour determiner la qualite et la cristallisation de couches epaisses ( 1 m) de silicium polycristallin depose a partir du silane. Ainsi, nous avons mis en evidence la meilleure qualite des couches deposees a une pression de 1000 bar par rapport a celles deposees a des pressions inferieures. La realisation de diodes p#+in#+ en silicium polycristallin a mis en evidence que la gravure d'un mesa permettait d'augmenter le redressement de la diode et qu'un recuit au-dela du temps necessaire a la cristallisation des couches pouvait avoir des consequences benefiques. Nous avons abouti aux parametres suivants : un courant equivalent de court-circuit de 2 ma/cm#2 et une tension de circuit ouvert de 0,2 v.