thesis

Methodes d'analyses des signaux multi-exponentiels utilises en spectroscopie electrique des defauts profonds dans les semiconducteurs : application au gaas implante en oxygene ou en oxygene et silicium

Defense date:

Jan. 1, 1986

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Institution:

Rennes 1

Disciplines:

Physics

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Abstract FR:

Methode de caracterisation des defauts profonds dans les semiconducteurs a partir de l'analyse du transitoire de capacite d'une diode. Comparaison des methodes de spectrometrie transitoire de niveau profond (stnp) aux methodes stnp double correlation et photocapacitives. Une nouvelle methode est mise en oeuvre qui combine la spectrometrie transitoire de capacite a l'aide d'une transformee de fourier. Etude gaas compense par l'implantation d'oxygene de sicilium par mesure de la concentration en electrons