Abstract FR:

Ce memoire est consacre a la croissance epitaxiale par movpe des semiconducteurs ii-vi a grand gap, znse, znte, ainsi que des structures de type super-reseaux znse-znte. L'utilisation d'un nouveau precurseur du zinc a permis d'ameliorer considerablement la qualite des materiaux deposes (homogeneite et purete). La determination des conditions de croissance optimales de znse et znte, epitaxie grace a ce nouveau precurseur, a permis d'aboutir a la realisation effective de super-reseaux znse-znte pour movpe. Une premiere modelisation de la structure de bande de ces structures a ete realisee par la methode de la fonction enveloppe et a permis de deduire une valeur de l'offset chimique de bande de valence de 200 mev