Abstract FR:

La premiere partie est relative a l'elaboration de couches minces de nitrure de silicium par la technique cvd assistee par plasma de decharge en courant continu d'un melange gazeux reactif ar-sih::(4)-n::(2). L'evolution du systeme lorsque la concentration en azote continue dans le melange gazeux augmente est etudiee. La deuxieme partie, complementaire, presente une approche pour la comprehension de la reactivite du silane en post-decharge d'azote. Cette partie comporte, outre la presentation d'un autre type de reacteur de depot de nitrure de silicium, les propositions de processus reactionnels qui sont susceptibles d'apparaitre en plasme de decharge ar-sih::(4)-n::(2)