Abstract FR:

Ce travail présente l’élaboration en épitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures GaAlAs-GaAs pour transistors et circuits intégrés bipolaires. La caractérisation du matériau et des hétérointerfaces est réalisée notamment par cathodoluminescence, mesures de durées de vie, et photoluminescence de puits quantiques. De très forts dopages de type p dans GaAs avec du béryllium ont été réalisés (p=2x1020cm-3). L’incorporation du dopant est discutée. Différentes structures pour le composant et l’intégration ont été épitaxiées : structures pour phototransistor à forts gains en courant (β ≥ 3000) ; structures à double hétérojonction et faible tension d’offset (∆VCE = 30 mV) ; structures à hétérojonction Ga0,72Al0,28As/Ga0,99Be0,01As et résistance de base ultra-faible (RB = 140 Ω/□).