Abstract FR:

Dans ce travail, nous avons considéré les premières étapes de la chimisorption de l'hydrogène sur les surfaces Pd(111) et Si(111) 7x7. Ces deux sujets demandent des approches théoriques très différentes. I) système H/Pd(111) : le système H/Pd(111) a été traité dans un modèle de liaisons fortes utilisant la méthode récursive et les déphasages complexes. Cette méthode permet d'obtenir des expressions self-consistantes pour les densités d'états locales et les énergies d'interaction entre impuretés. Dans ce cadre nous avons étudié le problème de l'impureté isolée d'hydrogène et celui des interactions multiatomiques entre impuretés qui nous ont permis de comprendre la surstructure observée à la surface lors de la chimisorption de l'hydrogène sur Pd(111) et de préciser la nature des sites occupés. II) système H/Si(111) 7x7 : ce système a été étudié dans le modèle DAS (Dimer adatom stacking fault) dans le cadre de l'extension cristalline de la méthode de Hückel étendue. Elle permet une bonne description de la structure électronique de la surface Si(111) 7x7 propre. Dans le cas où 19 liaisons pendantes des atomes de silicium à la surface sont saturées, nous avons reproduit les 2 pics observés en photoémission et proposé une interprétation des résultats expérimentaux. Le calcul des densités d'états et l'analyse des fonctions d'ondes ont permis de souligner le rôle fondamental de l'interaction hydrogène-adatomes dans la formation de ces 2 pics