Abstract FR:

Interaction de si avec les gaz NH3, O2 ou NO2. Etude des surfaces par photoémission X et UV. Elaboration de couches minces SIOx, SINx et SIOxNy déposées à basse température de support par évaporation réactive de Si en présence de molécules non activées O2 , NH3 et NO2. Détermination de la microstructure des couches, et rôle du bombardement ionique lors de la croissance. Etude de l'adsorption de l'ammoniac sur des surfaces propres de Si. Comparaison entre les modes de croissance des différentes couches en définissant des expositions, des recouvrements, et des coefficients de collage dynamiques