Abstract FR:

Nous présentons, dans ce mémoire, une étude théorique de la structure électronique du siliciure d'erbium épitaxie sur Si(111) (monocouche, bicouche et volume) dans le cadre de l'extension cristalline de la méthode de Hückel étendue. Dans le cas du siliciure d'erbium volumique, nous proposons une interprétation des spectres de photoémission et mettons en évidence le rôle des lacunes de silicium en comparant les structures de bandes calculées dans le cas des siliciures idéal (ErSi2) et lacunaire (ErSi1. 7). Dans le cas d'une monocouche, nous montrons que la géométrie interfaciale dans laquelle l'erbium se trouve en position T4 est la plus favorable. L'accord avec les bandes expérimentales est bon et confirme, d'autre part, le caractère semi - métallique du siliciure 2D. Dans le cas de deux couches d'erbium déposées sur Si(111), la structure atomique de surface consiste donc en une couche bouclée de silicium sans lacunes. Nous proposons une interprétation de quelques structures observées dans les spectres de photoémission, notamment le pic à 0,7 eV lié à la présence des lacunes, l'état à 1,80 eV lié aux liaisons arrières (back bonds) et l'état de surface à 1,4 eV issu des liaisons pendantes des atomes de silicium de surface