Abstract FR:

Etude de la structure électronique et cristallographique de l'interface métal-semiconducteur Cr/Si (111). Deux paramètres gouvernent essentiellement cette structure : le recouvrement de Cr et la température de recuit. Un processus de réaction à l'interface et de diffusion des atomes Si à travers le film métallique est mis en évidence à température ambiante. L'interface formée à haute température (350°C < T < 450°C) est caractérisée par la croissance de siliciures (CrSi, CrSi2) polycristallins, pour des recouvrements supérieurs à 30 monocouches de Cr et de siliciures monocristallins épitaxiques pour des recouvrements inférieurs