Abstract FR:

Ce travail de thèse porte sur l'étude des siliciures d'erbium ErSi1, 7 épitaxiés sur Si(111), obtenus par coévaporation des espèces Er et Si (technologie MBE) sur substrats maintenus à température ambiante, suivies de recuits entre 450°C et 850°C. L'analyse in situ conjugue essentiellement la diffraction des électrons lents (DEL) et la photoémission UV angulaire haute résolution (ARUPS). La surstructure 3x3R30- observée en DEL est attribuée à un arrangement ordonné de lacunes de silicium dans la couche qui contribuent fortement à susciter l'intérêt fondamental porté par ce système. Le suivi des spectres UPS sous l'effet de différents paramètres physiques nous ont permis d'identifier les différentes structures électroniques enrichissant la bande de valence de ErSi1,7 était constituée d'une couche bouclée de silicium de type Si(111) idéale. La structure de bandes de surface expérimentale exclut l'hypothèse d'un réseau ordonné de lacunes en surface, ce qui est confirmé par les courbes de dispersion théoriques (méthode de Huckel) et l'analyse d'images haute résolution obtenues en STM. Un raisonnement en théorie des groupes appliqué à un état de surface particulier, nous a permis, par comparaison avec les effets de polarisation constatés en photoémission de préciser la position (suggérée par l'analyse des images STM) des atomes de surface par rapport aux lacunes du volume