Abstract FR:

Des siliciures de fer (3-80A) sont épitaxiés sur Si(111) par l'épitaxie en phase solide (EPS) ou par codéposition de fer et silicium à basse température, suivis d'un recuit dans un domaine de températures de 280 à 700°C. Les couches ainsi obtenues sont caractérisées par des méthodes de photoémission (photoémission angulaire ultra-violet, photoémission-X, diffraction des photoélectrons-X), par la diffraction des électrons lents, la spectroscopie ionique et la méthode EXAFS. Les résultats montrent d'une part la formation des phases stables en volume, épsilon-FeSi et beta-FeSi2. Epsilon-FeSi est obtenu seulement sous forme polycristalline par la méthode EPS. La phase semiconductrice beta-FeSi2 s'épitaxie dans deux orientations différentes. En particulier, nous avons trouvé une nouvelle relation d'épitaxie avec la face (001) de beta-FeSi2 parallèle avec Si(111). D'autre part nous discutons les siliciures de fer pseudomorphes de structure cristalline du type CsCl et voisine. Ces phases métastables sont obtenues dans toute la gamme de stoechiométrie de FeSi à Fe0. 5Si. La formation des lacunes de fer dans le réseau CsCl diminue sa concentration. Les conditions de croissance et l'épaisseur des couches sont des paramètres critiques qui déterminent la formation et la stabilité de ces phases pseudomorphes. Les couches plus minces qu'environ 25A cristallisent toujours dans la structure CsCl. Les couches pseudomorphes plus épaisses ne sont obtenues que par la méthode de coévaporation. L'apparition d'un état de surface est liée à la reconstruction 2x2 de la surface riche en silicium des siliciures pseudomorphes