Abstract FR:

L'etude thermodynamique du systeme ti-si-h-cl-ar nous a permis de determiner les conditions theoriques de depot de la phase tisi::(2) par depot chimique en phase vapeur (c. V. P. ) en fonction des parametres experimentaux : temperature de depot, pression totale et pressions partielles des differentes especes gazeuses (sih::(4), ticl::(4), h::(2), ar). A l'aide d'un reacteur c. V. D. A murs froids, fonctionnant sous pression atmospherique, nous obtenons des films minces de tisi::(2), confirmant ainsi l'approche thermodynamique. En vue d'une procedure de metallisation autoalignee, nous avons aborde le controle du caractere selectif du depot. Nous avons ainsi defini des conditions experimentales de depot selectif, qui permettent a partir d'un support de si partiellement recouvert de sio::(2), de realiser le depot de tisi::(2) uniquement dans les motifs de si non recouverts