thesis

Propriétés de transport électronique dans les hétérostructures métal/semiconducteur

Defense date:

Jan. 1, 1988

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Abstract FR:

Le travail porte principalement sur l'etude des proprietes de transport electronique dans les films metalliques ultraminces de cosi::(2) (10 a 20 angstroems) epitaxies sur du silicium. Les principaux points abordes concernent: le transport perpendiculaire, le transport parallele aux interfaces, les proprietes electroniques des siliciures