Abstract FR:

Trois exemples d'equilibres contraints dans les materiaux sont etudies. Couches ga#xin#1##xp deposees en phase vapeur aux organo-metalliques en epitaxie sur des substrats de gaas voisins de (001): par microscopie electronique en transmission (m. E. T. ) on identifie une mise en ordre de type cupt sur le sous-reseau iii et une selection des variants par la polarite et la desorientation du substrat. Un modele original d'ordre induit par la croissance explique qualitativement ces resultats et d'autres donnees de la litterature. Couches gaas implantees si, se et recuites: la microstructure et les amas de defauts residuels identifies par m. E. T. Montrent que le defaut d'activation du si n'est pas lie a cette microstructure, mais qu'il l'est pour se. Dans ce cas une couche amorphe est formee, sa recristallisation induit la precipitation d'amas tetraedriques polaires, correles a un manque d'activation local du dopant. Theorie des equilibres dynamiques dans les composes sollicites: on donne une description stochastique (equation pilote et de fokker planck) d'un compose ou les echanges heteroatomiques se font par sauts forces (pouvant se produire par cascade) parallelement aux sauts thermiquement actives. En l'absence de sollicitation, le modele est ajuste sur une thermodynamique simple de champ moyen. En presence de la sollicitation, le potentiel stochastique trouve permet de construire des diagrammes d'equilibre dynamique. Le comportement complexe de ni#4mo sous irradiation (bistabilite, inversion de stabilite) est elucide. Des effets de taille de cascade sont prevus