Abstract FR:

Des films de siliciure d'excellente qualite morphologique et electrique peuvent etre obtenus par la methode de codepot, ce qui autorise la reprise de croissance de silicium. Les premiers resultats sur des multicouches metal/semiconducteur semblent montrer l'existence d'une photoemission d'electrons par-dessus la barriere et de trous par-dessous la barriere ultramince de silicium. L'optimisation des epaisseurs de chaque couche metallique s'appuie sur la connaissance de deux longueurs caracteristiques: la longueur d'absorption optique et le libre parcours moyen balistique. La premiere a ete determinee par des mesures de reflexion et de transmission optique sur des films metalliques epitaxies sur silicium. La seconde a ete deduite de l'evolution du photocourant avec l'epaisseur de metal dans des diodes schottky. Dans le cas de cosi#2, la longueur d'absorption optique de 180 a et le libre parcours balistique de 80 a (a une energie de 1 ev) conduisent a un rendement quantique externe maximal pour une epaisseur de l'ordre de 75 a. L'etude du libre parcours balistique et des constantes optiques de cosi#2 en fonction de la temperature et de l'energie des photons a permis de montrer que la relaxation des electrons chauds dans les metaux est causee principalement par les collisions electron-electron. Enfin, la determination des hauteurs de barriere schottky par photoemission interne a permis une approche experimentale du probleme de l'etablissement de cette barriere. Nous avons montre que la contribution du silicium aux etats d'interfaces se limite a la bande la plus proche