thesis

Contribution à l'étude des propriétés de transport à basse température dans les semiconducteurs amorphes du groupe IV : Application au système SI::(X) SN::(1-X)

Defense date:

Jan. 1, 1986

Edit

Institution:

Nancy 1

Disciplines:

Authors:

Directors:

Abstract EN:

Pas de résumé disponible.

Abstract FR:

Étude des mécanismes de transport par diffusion entre états localisés. L'effet de la température, de l'épaisseur des échantillons, du recuit a été examiné dans le cadre des théories existantes. Deux domaines de température ont été mis en évidence : au-dessus de 30 K, le modèle du petit polaron, reproduit bien les résultats expérimentaux, tandis qu'au dessus de 100 K, l'accord est bon avec le modèle de pollack inspiré de la théorie de Mott complétée