Abstract FR:

Des performances de plus en plus contraignantes sont requises pour les contacts ohmiques des dispositifs sur gaas. En effet, une faible resistance de contact, une diffusion peu prononcee en profondeur et lateralement des elements de la metallurgie, une bonne stabilite thermique et une surface lisse sont aujourd'hui indispensables. Le contact classique augeni sur gaas de type-n bien que possedant d'excellentes proprietes electriques, presente une mauvaise morphologie et ne peut supporter un traitement thermique a 400#oc. Les contacts ohmiques refractaires pouvant, par contre, subir des cycles de recuit a faible et a haute temperature, sans deterioration, sont beaucoup plus attrayants. En particulier le contact gemow et plus recemment celui de niinw semblent parfaitement convenir puisqu'ils presentent tous deux une faible resistivite specifique (#c). Le comportement ohmique de la structure niinw s'explique par la formation d'une couche intermediaire associee a une faible barriere de potentiel. Jusqu'a present, le contact niinw a ete depose par evaporation ce qui n'est pas une methode adequate pour des materiaux refractaires. Nous presentons dans ce memoire, la premiere realisation par pulverisation cathodique magnetron du contact ohmique niinw. La plus faible valeur de #c obtenue fut 10##7 ?cm#2. Ce contact possede une excellente stabilite thermique