Abstract FR:

Des heterostructures de semiconducteurs ii-vi en cdte-cdmnte sont elaborees par la technique d'epitaxie par jets moleculaires (ejm). Elles sont ensuite caracterisees et etudiees en vue d'applications. Les conditions de croissance des couches de cdmnte sont optimisees selon les deux directions cristallographiques <001> et <111>. Le desaccord de maille entre le puits cdte et les barrieres cdmnte limite les structures coherentes realisables. La composition de l'alliage cdmnte, ainsi que les epaisseurs des couches sont maitrisees. Des structures de bonne qualite structurale et optique ont ete obtenues, ce qui a permis d'etudier des structures laser et des structures piezoelectriques. Des laser visibles compacts pompes electroniquement ont ete realises. Le dispositif s'appelle laser a semiconducteur a micropointe (lsm). La zone active est constituee d'une heterostructure a confinement separe et a gradient d'indice lineaire (l. Grinsch) epitaxiee selon la direction <001>. La longueur d'onde d'emission laser atteinte avec cdmnte est dans le rouge a temperature ambiante. La croissance de puits quantiques selon l'axe polaire <111> est tres interessante: l'existence d'un grand champ piezoelectrique (de l'ordre de 100000 v/cm) a ete mis en evidence experimentalement. Ce champ modifie la structure electronique et les proprietes optiques de l'heterostructure. Lors de l'ecrantage du champ par des porteurs photocrees, la raie se decale vers le bleu, ce qui est prometteur pour les applications en optique non lineaire ou en electro-optique. Pour expliquer les resultats experimentaux, l'hypothese d'une non-linearite du coefficient piezoelectrique a ete emis