thesis

Etude de la gravure profonde du silicium à très basse température : application à la réalisation de caissons d'isolation pour la microélectronique de puissance

Defense date:

Jan. 1, 2000

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Institution:

Orléans

Disciplines:

Physics

Authors:

Directors:

Abstract EN:

This work presents the study of a specific deep silicon etching process using plasma technology in order to demonstrate the feasibility of a new approach to achieve isolation of integrated power devices

Abstract FR:

Ce travail étudie le développement d'un procédé spécifique de gravure profonde du silicium par plasma afin de démontrer la faisabilité d'une nouvelle approche pour réaliser des caissons d'isolation destinés aux composants de puissances intégrés