Abstract FR:

Cette thèse présente la caractérisation des effets de piégeage dans des structures photoconductrices utilisées pour la détection optique. Par le calcul, on montre l’influence des phénomènes de piégeage, dans le volume d’un barreau semi-conducteur et de la recombinaison bande à bande sur l’évolution du photocourant en régime permanent et en régime transitoire. Pour pouvoir comparer les résultats obtenus aux caractéristiques expérimentales relevées sur les dispositifs planars, on tient compte de l’existence des états de surface. La structure utilisée est constituée par une couche épitaxiale d’Arséniure de Gallium, peu dopée, déposée sur un substrat semi-isolant. Dans de tels dispositifs, en particulier lorsque le dopage est très faible, l’influence des pièges de surface sur la conductivité de la couche est importante. En obscurité les structures ont été caractérisées par des mesures des courants dans la couche sous polarisation du substrat et à différentes températures. Ceci a permis de détecter les pièges existant à l’interface et dans la couche. Une caractérisation sous éclairement a été réalisée en utilisant un rayonnement infrarouge plus ou moins pénétrant, de manière à favoriser ou non les effets de surface. Un modèle d’états de surface à charges variables a été proposé, permettant d’expliquer les résultats expérimentaux.