thesis

Épitaxie des alliages Ge₁₋ₓ Siₓ sur silicium et sur arsenure de gallium par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma

Defense date:

Jan. 1, 1986

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Institution:

Nice

Disciplines:

Physics

Authors:

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Abstract EN:

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Abstract FR:

Étude de 3 types de méthodes de dépôt. Discussion sur les cinétiques de croissance sur la composition des couches. Caractérisation électrique