thesis

Effet mémoire d'un composé incommensurable isolant : la thiourée deutériée : mesure par susceptibilité électrique et biréfringence linéaire

Defense date:

Jan. 1, 1985

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Institution:

Paris 11

Disciplines:

Physics

Authors:

Directors:

Abstract EN:

This is a study of the "memory effect" which is found in the modulated, incommensurate phase of the insulator thiourea. This effect is the sign of a set of mobile defects, which can become ordered according to the spatial period of the modulation (via defect-modulation coupling). In return, the set of defects, once ordered, can lock in the modulation period. This memory effect appears to be a general property of all modulated structures. The dielectric susceptibility and linear, optic, birefringency are coupled to the modulation order parameter, and enable one to study the memory effect in thiourea. We paid particular attention to the marking and relaxation processes of the memory effect.

Abstract FR:

Ce travail est consacré à l'étude de "l'effet mémoire" se dans la phase modulée incommensurable d'un isolant : Cet effet est la signature d'un réseau de défauts mobiles capables de s'ordonner selon la périodicité spatiale de la modulation (par couplage défauts-modulation). En retour un tel réseau de défauts, une fois, ordonné, peut provoquer un blocage de la périodicité de la modulation. Cet effet de mémoire parait être une propriété générale de toutes les structures modulées. La susceptibilité électrique et la biréfringence linéaire optique sont des grandeurs couplées au paramètre d'ordre de la modulation, et permettent donc d'étudier les effets mémoire dans la thiourée. Nous nous sommes particulièrement attachés aux processus d'inscription et de relaxation de l'effet mémoire.