Abstract FR:

SmS a été étudié pour la transition de la phase de basse pression (phase noire) à la phase de haute pression de valence intermédiaire ; mais l'étude de la phase noire s'avère très riche. Les variations des propriétés de transport électronique avec la pression à basse température montrent l'existence d'une phase semi-métallique située, dans le diagramme pression-température, dans la phase noire pour une pression supérieure à 4 kbar; elle correspond à la « phase B » du diagramme dopage-température. L'étude de la phase de basse pression isolante nécessite un modèle de dopage par des états accepteurs. On observe de plus en résonance paramagnétique un défaut de soufre auprès duquel un ion samarium, couplé magnétiquement à la matrice, transite de divalent à trivalent. Ce défaut présente deux configurations de symétries proches, et les raies de résonance s'élargissent de façon activée avec la température. Il est responsable d'effets métastables à basse pression et à basse température donnant lieu à des relaxations de conductivité de type « exponentielles étirées » car il peut piéger par échange magnétique un électron de conduction en formant un polaron magnétique lié. Le temps de relaxation à champ magnétique nul est activé. Un modèle phénoménologique fait apparaître les ordres de grandeur de la barrière de piégeage et du champ critique correspondant au maximum de magnétorésistance.