Abstract FR:

Étude, par une technique de photoconductivité, de l'influence du dopage par p sur le produit mobilite-duree de vie des électrons et sur la densité d'états dans la bande interdite de s-si: h prépare par pulvérisation cathodique réactive. Etude de l'influence des conditions de préparation sur la mobilité par une méthode de temps de vol; mise en évidence de l'activation thermique de la mobilité dans une large gamme de températures. Interprétation des résultats par un modèle de conduction, base sur l'existence de fluctuations de potentiel