thesis
Section efficace de photoionisation des niveaux profonds dans les semiconducteurs
Institution:
Lille 1Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Mise en évidence de l'importance de la modification subie par les états de bande et occasionnée par la présence d'un défaut ponctuel sur les propriétés optiques des semiconducteurs. Le calcul est effectué dans l'approximation des liaisons fortes. Application et comparaison des résultats au cas de S, Se, Zn dans le silicium.