thesis

Section efficace de photoionisation des niveaux profonds dans les semiconducteurs

Defense date:

Jan. 1, 1985

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Institution:

Lille 1

Disciplines:

Authors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Mise en évidence de l'importance de la modification subie par les états de bande et occasionnée par la présence d'un défaut ponctuel sur les propriétés optiques des semiconducteurs. Le calcul est effectué dans l'approximation des liaisons fortes. Application et comparaison des résultats au cas de S, Se, Zn dans le silicium.