Structure locale des nitrures d'éléments III-V GaAs(1-y)Ny et InxGa(1-x)As(1-y)Ny et effets des traitements post-croissance
Institution:
Université Joseph Fourier (Grenoble)Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
Pas de résumé disponible.
Abstract FR:
Ce travail de thèse à le but de fournir une caractérisation structurale des semi-conducteurs III-V GAASN et INGAASN, matériaux de grande importance technologique pour la réalisation d'émetteurs lasers à 1. 3 microns sur substrat GAAS, et d'offrir une assise pour mieux comprendre les propriétés optiques et électroniques anomales qui ont été observées il y a huit ans et qui sont désormais exploitées dans la réalisation des composantes optoelectroniques. Les techniques principales que nous avons utilisées dans ce but sont l'absorption de rayon X (XAS) avec rayonnement de synchrotron et la diffraction de rayons X (XRD); la spectroscopie de diffraction anomale (DAFS) a eu un rôle limité, mais néanmoins significatif. Trois sujets ont été abordés: l'ordre local en alliages INGAASN et les effets du recuit post-croissance sur la structure locale, l'étude des distances interatomiques en GAASN et, enfin, les effets de l'hydrogénation sur la structure locale et globale de GAASN et INGAASN.