Abstract FR:

Ce travail porte sur l'etude de la compensation des porteurs libres et des centres profonds dans les echantillons de gaas implantes ou co-implantes en oxygene et en silicium par spectroscopie capacitive. Les principes des methodes classiques dlts de caracterisation des defauts ont ete developpes et presentes. On decrit egalement la nouvelle methode ftdlts (dlts utilisant une transformee de fourier) qui presente un meilleur pouvoir separateur permettant de mieux caracteriser les defauts ayant des constantes de temps voisines. En ce qui concerne la compensation, on montre que celle-ci n'est pas due seulement a l'oxygene, qu'elle diminue en presence de silicium co-implante lorsque le recuit est effectue a haute temperature et qu'elle ne semble pas liee non plus aux defauts du type el2. En ce qui concerne les centres profonds, deux groupes de defauts ont ete mis en evidence. Le premier groupe dans le domaine de temperatures 220-280 k ou quatre defauts u1, u2, u3 et u4 dont les energies d'activation des taux d'emission sont centrees sur celle du niveau el3 ont ete caracterises. Ces defauts semblent etre lies au desordre du reseau cristallin du substrat. Le deuxieme groupe dans le domaine de temperatures 280-450 k ou les signatures des trois defauts e1, e2, et e3 de la famille de defauts el2 du gaas ont pu etre evaluees. Le defaut e1 semble etre un complexe dont fait partie l'oxygene implante, le defaut e2 est lie aux conditions de preparation du substrat et le defaut e3 correspond probablement a el2