Abstract FR:

Malgre le grand nombre de potentiels effectifs disponibles aussi bien pour le silicium que pour la silice, le choix d'un potentiel effectif adapte a l'etude des interfaces est delicat. En particulier, ces potentiels doivent etre capables de traiter les defauts correctement. De plus certaines grandeurs importantes etaient mal connues comme les energies de formation d'une lacune de silicium dans les diverses formes de silice. Nous avons determine par une methode ab initio (theorie de la fonctionnelle de la densite) ces grandeurs. Nous avons compare l'emploi de potentiels covalents et de potentiels ioniques. Ceux-ci presentent l'interet de pouvoir traiter les phenomenes electrostatiques a l'interface. Nous les avons modifies pour qu'ils soient capables de traiter les defauts. On peut alors disposer d'une representation realiste de l'interface. En particulier l'existence de plusieurs varietes de silicium observee experimentalement est expliquee.