Abstract FR:

Ce travail porte sur l'étude des propriétés quantiques GaN/AIN synthétisées par épitaxie par jets moléculaires assistée par plasma. Nous développons une technique de croissance des boîtes quantiques qui utilise l'effet surfactant du gallium : la méthode Stranski-Krastanov Modifiée. Quelle que soit la polarité du système, la densité des îlots peut être contrôlée. La taille des boi^tes quantiques est déterminée soit par l'énergie élastique de la couche (polarité métal) soit par la cinétique de croissance (polarité azote). La corrélation verticale des boi^tes quantiques conduit à une homogénéisation de leur distribution et à un red-shift de leur émission qui est attribué au champ électrique des îlots. Enfin, les effets d'encapsulation sur les propriétés structurales des boîtes quantiques de GaN sont mis en évidence. Nous observons une diminution de leur taille qui est attribuée à un échange entre les atomes de Ga et les atomes d'AI de la barrière.