Abstract FR:

Ce travail vise a une meilleure comprehension des decharges radiofrequences utilisees pour les depots de couches mince de materiaux et en particulier du role joue par les interactions plasma-surface. Dans les conditions experimentales de depots, la contribution des radicaux est primordiale. Afin de les caracteriser, nous avons realise un reacteur d'etude dont la caracteristique principale est le montage d'un spectrometre de masse sous le porte-substrat, permettant ainsi l'analyse des flux d'especes chimiques vers le substrat. Pour detecter les radicaux, nous avons developpe la technique de spectrometrie de masse par ionisation pres du seuil. A ce titre, un effort particulier a ete consacre a l'amelioration des performances du spectrometre de masse et a la calibration des mesures afin d'en deduire des densites absolues de radicaux. Cette technique a ete ensuite appliquee a la caracterisation des decharges de silane, methane et hydrogene. La densite des radicaux sih#n (n = 1, 3), si#2h#m (m = 4, 5) et ch#n (n = 1, 2) a ete mesuree. En tenant compte des coefficients de pertes a la paroi, leur contribution aux depots de films minces de silicium amorphe et de carbone amorphe a ete calculee et comparee avec les vitesses de depot mesurees experimentalement. Les resultats concernant les decharges d'hydrogene montrent que la densite d'atomes de h pres d'une paroi depend fortement de la nature de la surface. Cette dependance a ete correlee a la variation des probabilites de pertes sur la paroi. Enfin, l'utilisation de decharges pulsees a permis de determiner les coefficients de pertes a la paroi pour les radicaux sih#3, si#2h#5, ch#3 et pour l'atome h sur differents materiaux