Etudes des structures electroniques du si(111)-h(1x1) par photoemission angulaire
Institution:
Paris 11Disciplines:
Directors:
Abstract EN:
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Abstract FR:
Les etudes de photoemission fourni les resultats suivants : _ la surface si(111)-h(1x1) obtenue par voie chimique est effectivement d'une qualite esceptionelle. _ la preparation de la surface par voie chimique n'est pas completement maitrisee. Nous avons travaille sur une quarantaine d'echantillons : deux ou trois ont presente des spectres nettement superieurs aux autres. L'origine de cette difference n'est pas evidente. _ la finesse des raies a permis d'obtenir la position des etats de surfaces dans la bande de valanece ainsi que leur dispersion avec une grande precision. _ suite a ces resultats, des calculs lda et gw ont ete menes par l'equipe du professeur s. Louie a berkeley. Les calculs gw (quasi particules), montrent un accord remarquable avec nos resultats. _ les mesures sur les niveaux 2p du si a hv = 108 ev qui representent en principe le volume montrant les structures les plus fines jamais observees sur les niveaux de cur du si. Elles ont permis de montrer par ailleurs : - que la largeur a mi-hauteur de ces raies depend fortement de la preparation de la surface - que la plupart des valeurs donnees dans la litterature pour la duree de vie du trou ainsi que pour la contribution des phonons sont fausses. - que les mesures sur des surfaces differentes (si(111) hydrogene, photodesorbe, si(7x7) montrent clairement que la mesure de la duree de vie du trou par photoemission ne peut etre une technique fiable. _ les mesures de photoemission sur les niveaux de cur a hv = 130 ev (sensibilite a la surface) ont permis d'etudier les deplacements des niveaux de cur a la surface.