thesis

Étude des mécanismes de transport dans les couches minces d'oxyde Nb₂O₅ formées par voie anodique : relation avec le claquage diélectrique des films en solution

Defense date:

Jan. 1, 1989

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Institution:

Paris 11

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Les propriétés de l'interface "oxyde-solution" sont étudiées par des techniques électrochimiques: mesures de capacité différentielle (diagrammes de Mott-Schottky), ou de capacité sous éclairement. L'étude des mécanismes de transport ionique est réalisée par X. P. S et marquage de la surface, avant anodisation, par implantation de gaz rare. Les variations des nombres de transport ont été suivies en fonction de paramètres qui déterminent la croissance des couches formées par voie anodique. Le rôle du champ électrique et de la contamination de la couche par incorporation anionique a été particulièrement étudié. La conductibilité électronique est étudiée en structure M. I. M sous vide en fonction du champ électrique appliqué et de la température. Le rôle important joué par le piégeage est observé à toute valeur de champ électrique et en particulier aux valeurs élevées, où un mécanisme de conduction de type Poole-Frenkel est mis en évidence. Ce processus de transport précède l'apparition d'une conduction de type filamentaire, observée à des valeurs de champ électrique de l'ordre 1. 107 V. M-1. L'injection interfaciale des porteurs à partir de la solution dans les filaments pourrait être à l'origine de l'endommagement localisé du film qui caractérise le stade de claquage.