Abstract FR:

Cette these porte sur les proprietes electroniques des fullerenes et leurs derives. Alors que plusieurs travaux ont ete menes en pes et hreels, peu d'etudes sur les bandes de conduction ont ete realisees jusqu'a present. La dispersion des bandes de conduction d'un film de c#7#0(111) epitaxie sur deux substrats a ete etudiee par photoemission inverse resolue angulairement. Un nouvel etat electronique venant du transfert de charge du metal vers les molecules de c#7#0 est observe. En recoupant les resultats pes et hreels, une meilleure comprehension de ce systeme a pu etre obtenue. Selon la tendance actuelle de la recherche sur les fullerenes, la partie principale de cette these s'interesse aux derives de c#6#0. D'abord, la croissance epitaxiale de trois exofullerenes du type c#6#0-(nh(chcoo-r)#2) a ete realisee par depot sous vide sur ges(001) et au(110)(2/). Basee sur des analyses xps et leed, nous avons prouve que les exofullerenes forment un arrangement hexagonal compact sur la surface, laissant les greffons hors du plan (111). Les bandes de valence de ces systemes ont ete etudiees en photoemission (desy/hambourg). La relaxation de la cage de fullerene due a la presence des greffons a ete mise en evidence par un decalage energetique de 0. 4 ev de l'etat homo. Le transfert de charge de substrat vers les exofullerenes et la redistribution de cette charge sur les liaisons de la cage ont ete etudies en detail. De plus, l'influence du greffon sur la cage a ete revelee par comparaison des structures de la bande de valence de deux derives. Un transfert de charge local entre les electrons du cycle phenyl et la cage de fullerene a clairement ete montre. Les bandes de conduction de ces systemes ont aussi ete etudiees