Abstract FR:

Un appareillage de déposition de composés semi-conducteurs dans des conditions proches des équilibres thermodynamiques a été réalisé. Il est constitué par deux cellules quasi-étanches à quatre zones de température ce qui permet le contrôle simultané des différentes pressions de vapeur ainsi que celui de la température du substrat. Il offre en outre la possibilité de réaliser in-situ un empilement de couches de composition chimique et de dopage différents. Le travail comporte deux parties : 1) La réalisation et l'étude des propriétés de couches de CdS, CdTe, CdZnTe et CdMnTe sur différents substrats : silice, ITO/verre, molybdène et saphir. Un module théorique simple est proposé pour décrire la réalisation entre la vitesse de déposition et la température des sources et du substrat. Nous avons pu noter, dans le cas du CdS une chute brutale de la résistivité lorsque le rapport des pressions partielles indium et cadmium passe par une valeur critique. Des traitements de recuits thermiques ultérieurs améliorent la cristallinité et modifient la morphologie de surface des couches. Sur substrat saphir (0001) nous avons pu réaliser l'hétéroépitaxie de différents composés, la croissance s'effectuant toujours suivant la direction (111). 2) La réalisation et l'étude des propriétés des photopiles solaires font l'objet de la deuxième partie. D'après l'analyse des aractéristiques I-V nous avons montré que le mécanisme de conduction est l'effet tunnel. La jonction est de type abrupt et la hauteur de barrière est élevée. Les réponses spectrales et leur modélisation ont permis de déterminer les longueurs de diffusion des porteurs dans les zones (n) et (p), ainsi que la contribution de la zone de charge d'espace au photocourant.