Abstract FR:

Apparues dans la derniere decennie, les sources d'electrons utilisant le photoemission de champ les photoinjecteurs sont celles qui derivent actuellement les faisceaux les plus brillants. Cette qualite, qu'on mesure usuellement par des emittances et une dispersion d'energie axiale, est un parametre essentiel pour les applications qu'on peut faire en aval de ce faisceau, comme primaire d'un laser a electrons libres par exemple. Produire un tel faisceau tres brillant, dans un photoinjecteur, ne suffit pas car le faisceau doit conserver sa qualite tout au long du transport de la source (photocathode) a l'onduleur ou l'effet laser se produit. Parmi les phenomenes qui concourent a la degradation de cette qualite, phenomenes dont la hierarchie depend des parametres du photoinjecteur, il peut y avoir le champ de sillage engendre par le faisceau accelere dans le photoinjecteur, en presence des parois conductrices. Cette degradation (croissance d'emittance, etc) a donc pour effet de diminuer les performances du laser a electrons libres. Quand il existe, le champ du sillage d'un tel faisceau accelere est la somme du champ propre du paquet (souvent appele champ de charge d'espace) et du champ engendre par les parois conductrices en reaction a celui qu'emet le paquet. Le champ de sillage ainsi decrit, differe profondement du champ de sillage classique d'un faisceau relativiste en mouvement uniforme ; dans ce dernier cas, il s'agit de la reponse lineaire, en champ, des parois au paquet