thesis

Epitaxie en phase vapeur aux organometalliques de gainp et algainp sur gaas : application a la realisation de diodes et de lasers a heterojonctions

Defense date:

Jan. 1, 1987

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Institution:

Paris 7

Disciplines:

Physics

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Abstract FR:

Principes de base de la methode movpe et problemes poses par sa mise en oeuvre. Cas particuliers de gainp et de algainp. Analyse des mecanismes de la methode movpe. Proprietes des interfaces gainp/gaas, algainp/gaas et algainp/gainp et presentation de puits quantiques algainp/gainp. Realisation de dispositifs optoelectroniques: presentations de diodes electroluminescentes a homojonctions en gainp et algainp, examen des travaux des principales equipes epitaxiant algainp, presentation de lasers a heterojonctions algainp/gainp/algainp