Abstract FR:

Nous avons développé l'instrumentation et acquis le savoir-faire nécessaires à la croissance épitaxiale de structures photovoltaïques et tunnel à base de GaAs et à leur élaboration en composants performants. En particulier, les jonctions tunnel présentent une densité de courant pic de 270 A. CM**(-2), un résultat encore jamais égalé